应用:铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料,带隙范围为1.24-1.54eV,具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明,暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。

作用:高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率,AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用,而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。